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JGDN108B
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JGDN108B
单晶异质结双面双玻组件
415W~445W
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    接纳182mm ，N型HJT半片电池

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    组件功率高达445W ，组件转换效率抵达22.70%

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    接纳优异的MBB半片电池手艺镌汰隐裂及切面损伤

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    正面输出功率比TOPCon组件高4.1% ，背面输出功率比TOPCon组件高14.76%

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    无BO-LID,优异的抗LeTID和抗PID性能
    低功率衰减 ，更高的功率输出

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    温度系数为-0.243%/℃

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产品优势
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中国甘肃省酒泉市肃州区经济手艺开发区昆仑路9号

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